特許翻訳　アウトプットで学ぶ

BEOL工程（Back End Of Line：半導体製造における配線形成工程）において、銅（Cu）配線がアルミニウム（Al）配線に代わって主流となっています。これは、Cuが低抵抗で微細化に対応しやすいという利点を持つためですが、その一方で...

半導体においては、FEOL（Front End of Line）で作られたトランジスタなどの素子を、BEOL（Back End of Line）で配線形成することで、最終的にチップとしての機能が実現されます。本記事では微細化に伴って従来のア...

前回は、CVDとは何か、という基本に触れました。ではこのCVDは、実際にはどのような場面で使われているのでしょうか。今回はその"使われどころ"に注目し、成膜技術が半導体プロセスのなかでどのように活用されているのかを見てみます。成膜技術の分類...

前回記事では、EUVリソグラフィ用の光学素子保護層が3層構造であり、それぞれに水素の拡散や再結合を制御する役割があることを整理しました。ではこの層は、実際どうやって作られているのでしょうか。性能に関わるような層構造が設計できたとしても、それ...

前回の記事「固体でも『拡散』する ― EUVミラーと水素の侵入」では、EUVリソグラフィ装置内で発生する水素ラジカルが、固体であるはずのEUVミラー多層膜内部に拡散し、内部で水素分子として再結合することでブリスタリングを引き起こすしくみにつ...

前回は次に特許の話を書くつもりでしたが、その前にひとつ、翻訳とは一見関係ないようでいて実は日々の会話も「言葉の扱い」そのものだなと感じた話です。感情に支配された瞬間子育ての中で、ふと自分の言葉の使い方に「つい言い過ぎたな」と反省する場面があ...

拡散は、固体でも起きる拡散と聞くと、空気中の香りや水中のインクのような、流体中の現象を思い浮かべないでしょうか。確かに拡散とは、気体や液体がじわじわと広がっていく現象としてよく知られています。ところが実は、「固体の中でも拡散は起きる」のです...

今回は、ASML/CARL ZEISS SMT社の特許"OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY, AND METHOD FOR TREATING SUCH AN OPTI...

前回の記事（「EUV露光装置で生じる汚染物質の野除去」）では、炭素汚染物のうちC-C単結合を有するものは、σ結合のみで電子の偏りがないため、酸化的手法では分解が難しく、還元的に作用する水素ラジカルが有効であることを紹介しました。今回は、その...

前回の記事では、EUV露光装置の概要をまとめましたが、その際、内部で生じる炭素汚染の問題にも触れました。特に光学素子などの高精度部材に対する汚染は、リソグラフィ工程の性能や歩留まりに直結する深刻な課題です。今回は、そうした炭素汚染のなかでも...