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ビア抵抗とは何か?

はじめに:見えないところに生じる「抵抗」半導体の高密度化が進む中、回路設計におけるボトルネックとして「ビア抵抗(via resistance)」があります。これは、配線層間を上下方向にに接続する小さな導体「ビア」に生じる電気抵抗のことで、近...
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成膜プロセス、前駆体かプリカーサーか

前回の記事では、成膜の原料ガスを「プリカーサー(precursor)」というカタカナ表記で記述しました。当時は、CVDプロセスにおけるprecursorが「成膜原料」という意味で慣用的に使われている点は理解していたものの、一般的な化学用語と...
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Cu配線の構造と各層の役割

現在の半導体配線では、アルミニウム(Al)配線に変わって銅(Cu)配線が主流になっています。しかし、Cuは単なる金属配線ではなく、電気的特性・拡散抑制・信頼性向上といった要求に応じて、複数の機能性層を積層した構造により実現されています。以下...
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銅(Cu)配線を守る酸化マンガンバリア

BEOL工程(Back End Of Line:半導体製造における配線形成工程)において、銅(Cu)配線がアルミニウム(Al)配線に代わって主流となっています。これは、Cuが低抵抗で微細化に対応しやすいという利点を持つためですが、その一方で...
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Cu配線時代の成膜技術

半導体においては、FEOL(Front End of Line)で作られたトランジスタなどの素子を、BEOL(Back End of Line)で配線形成することで、最終的にチップとしての機能が実現されます。本記事では微細化に伴って従来のア...
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成膜技術はどこで使われる?

前回は、CVDとは何か、という基本に触れました。ではこのCVDは、実際にはどのような場面で使われているのでしょうか。今回はその"使われどころ"に注目し、成膜技術が半導体プロセスのなかでどのように活用されているのかを見てみます。成膜技術の分類...
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成膜プロセス、CVDとは

前回記事では、EUVリソグラフィ用の光学素子保護層が3層構造であり、それぞれに水素の拡散や再結合を制御する役割があることを整理しました。ではこの層は、実際どうやって作られているのでしょうか。性能に関わるような層構造が設計できたとしても、それ...
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触媒反応

前回の記事(「EUV露光装置で生じる汚染物質の野除去」)では、炭素汚染物のうちC-C単結合を有するものは、σ結合のみで電子の偏りがないため、酸化的手法では分解が難しく、還元的に作用する水素ラジカルが有効であることを紹介しました。今回は、その...
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EUV露光装置

新たな明細書翻訳に取りかかるにあたり、今回は、背景知識の整理から始めます。アドバイスをいただきありがとうございました。半導体製造の前工程における中核プロセスであるリソグラフィ(塗布・露光・現像)のうち、「露光」を担う露光装置についてはこれま...
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光学素子のパージ

ASML NETHERLANDS B.V.「FLUID PURGING SYSTEM(WO2021/249705)」を題材とし、半導体製造装置における光学素子のパージシステムに関する翻訳に取り組みました。この明細書においては、光学素子の位置...