特許明細書 パージガスの流れと “discharge” の意味
今回は、半導体製造装置のロードロック装置に関する明細書を訳しました。対象は、前回参照していた「ロードロック装置」に関する特許（US9228685B2）です。ロードロック装置とはロードロックとは、真空環境のチャンバと外部大気圧環境をつなぐ中継...
特許明細書
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学習記録 見直しの見直し
用語：process requirementsThe controller, depending on the processing requirements and/or the type of system, may be progra...
特許明細書 3D NAND のエッチング装置に関する特許明細書の検討（その2）
例２もうひとつ、こちらもprocessが用いられており、他にも自分の訳語選択に課題があったため、まとめます。The controller, depending on the processing requirements and/or th...
特許明細書 3D NAND のエッチング装置に関する特許明細書の検討
出典：WO2021173154（Lam Research）”REDUCTION OF SIDEWALL NOTCHING FOR HIGH ASPECT RATIO 3D NAND ETCH”（Lam Research）本明細書には、装置制...
特許明細書 特許に登場する蒸気圧曲線
実際の蒸気圧曲線蒸気圧曲線の図は、実際の特許明細書にも重要な図として登場します。JP6604911B2の特許です。出典：「エッチング処理方法」（東京エレクトロン）蒸気圧曲線の登場背景少しざっくりですが、この特許を説明します。この明細書は、N...
学習記録 ‘in a horizontal posture’ をサセプタの役割から考える
...a susceptor 102 that supports a wafer W as a substrate to be processed in a horizontal posture is disposed.英文自体がやや日本語...
特許明細書 選択的成膜
成膜に関してまとめるなかでは、成膜は全体に形成されるように理解しますが、実際の成膜過程では、狙った表面だけに膜をつけるように制御されています。今回読んだ明細書によってその工夫が分かったのでまとめます。はじめに半導体デバイスの微細化が進むと、...
特許明細書 反応を遅くすることで成膜の均一性を得る
前回の記事では、CVD成膜の均一性（ステップカバレッジ）を改善する技術として、ルシャトリエの原理に基づいたCO分圧制御を紹介しました。特に、前駆体Ru₃(CO)₁₂の熱分解がトレンチ底部まで到達してから起こるようにすることで、膜厚の偏りを抑...
学習記録 成膜プロセス、前駆体かプリカーサーか
前回の記事では、成膜の原料ガスを「プリカーサー（precursor）」というカタカナ表記で記述しました。当時は、CVDプロセスにおけるprecursorが「成膜原料」という意味で慣用的に使われている点は理解していたものの、一般的な化学用語と...
特許明細書 高アスペクト比成膜の限界を、ルシャトリエの原理で制御する
半導体配線の主な目的は、電気信号を高速・確実に伝えることです。ですが微細化が進むにつれて、配線抵抗（R）と容積（C）との積であるRC積が増大し、信号遅延の要因となります（RC積についてはこちら）。このRC積を低減するためには、以下のような設...