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銅(Cu)配線を守る酸化マンガンバリア

BEOL工程(Back End Of Line:半導体製造における配線形成工程)において、銅(Cu)配線がアルミニウム(Al)配線に代わって主流となっています。これは、Cuが低抵抗で微細化に対応しやすいという利点を持つためですが、その一方で...
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Cu配線時代の成膜技術

半導体においては、FEOL(Front End of Line)で作られたトランジスタなどの素子を、BEOL(Back End of Line)で配線形成することで、最終的にチップとしての機能が実現されます。本記事では微細化に伴って従来のア...
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成膜技術はどこで使われる?

前回は、CVDとは何か、という基本に触れました。ではこのCVDは、実際にはどのような場面で使われているのでしょうか。今回はその"使われどころ"に注目し、成膜技術が半導体プロセスのなかでどのように活用されているのかを見てみます。成膜技術の分類...
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成膜プロセス、CVDとは

前回記事では、EUVリソグラフィ用の光学素子保護層が3層構造であり、それぞれに水素の拡散や再結合を制御する役割があることを整理しました。ではこの層は、実際どうやって作られているのでしょうか。性能に関わるような層構造が設計できたとしても、それ...
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触媒反応

前回の記事(「EUV露光装置で生じる汚染物質の野除去」)では、炭素汚染物のうちC-C単結合を有するものは、σ結合のみで電子の偏りがないため、酸化的手法では分解が難しく、還元的に作用する水素ラジカルが有効であることを紹介しました。今回は、その...
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EUV露光装置

新たな明細書翻訳に取りかかるにあたり、今回は、背景知識の整理から始めます。アドバイスをいただきありがとうございました。半導体製造の前工程における中核プロセスであるリソグラフィ(塗布・露光・現像)のうち、「露光」を担う露光装置についてはこれま...
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光学素子のパージ

ASML NETHERLANDS B.V.「FLUID PURGING SYSTEM(WO2021/249705)」を題材とし、半導体製造装置における光学素子のパージシステムに関する翻訳に取り組みました。この明細書においては、光学素子の位置...
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ループから抜け出す判断軸

正確さを求めるほどに訳が止まり、作業が進まなくなる部分が増えました。一言一言を見直すことは大事です。しかし、それに非常に時間がかかってしまうとしたらそれは本当に良いこと、ではありません。今のような「勉強ができる状態」がずっと続くわけでないこ...
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液浸露光装置の訳を見直す1

自力翻訳と公開訳の比較を見直しました。今回は、ASMLの特許明細書を題材にしながら振り返ります。Various orientations and numbers of in- and out-lets positioned around t...
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ナノインプリントリソグラフィ

これまでリソグラフィと言えばフォトリソグラフィを前提に考えてきました。しかし実際には、リソグラフィ技術には様々な方式が存在します。今日はその中でも特にナノインプリントリソグラフィ(NIL)に焦点を当ててみます。リソグラフィとはリソグラフィ(...