特許明細書

...a susceptor 102 that supports a wafer W as a substrate to be processed in a horizontal posture is disposed.英文自体がやや日本語...

成膜に関してまとめるなかでは、成膜は全体に形成されるように理解しますが、実際の成膜過程では、狙った表面だけに膜をつけるように制御されています。今回読んだ明細書によってその工夫が分かったのでまとめます。はじめに半導体デバイスの微細化が進むと、...

前回の記事では、CVD成膜の均一性（ステップカバレッジ）を改善する技術として、ルシャトリエの原理に基づいたCO分圧制御を紹介しました。特に、前駆体Ru₃(CO)₁₂の熱分解がトレンチ底部まで到達してから起こるようにすることで、膜厚の偏りを抑...

前回の記事では、成膜の原料ガスを「プリカーサー（precursor）」というカタカナ表記で記述しました。当時は、CVDプロセスにおけるprecursorが「成膜原料」という意味で慣用的に使われている点は理解していたものの、一般的な化学用語と...

半導体配線の主な目的は、電気信号を高速・確実に伝えることです。ですが微細化が進むにつれて、配線抵抗（R）と容積（C）との積であるRC積が増大し、信号遅延の要因となります（RC積についてはこちら）。このRC積を低減するためには、以下のような設...

前回の記事「固体でも『拡散』する ― EUVミラーと水素の侵入」では、EUVリソグラフィ装置内で発生する水素ラジカルが、固体であるはずのEUVミラー多層膜内部に拡散し、内部で水素分子として再結合することでブリスタリングを引き起こすしくみにつ...

拡散は、固体でも起きる拡散と聞くと、空気中の香りや水中のインクのような、流体中の現象を思い浮かべないでしょうか。確かに拡散とは、気体や液体がじわじわと広がっていく現象としてよく知られています。ところが実は、「固体の中でも拡散は起きる」のです...

今回は、ASML/CARL ZEISS SMT社の特許"OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY, AND METHOD FOR TREATING SUCH AN OPTI...

前回の記事では、EUV露光装置の概要をまとめましたが、その際、内部で生じる炭素汚染の問題にも触れました。特に光学素子などの高精度部材に対する汚染は、リソグラフィ工程の性能や歩留まりに直結する深刻な課題です。今回は、そうした炭素汚染のなかでも...

ASML NETHERLANDS B.V.「FLUID PURGING SYSTEM（WO2021/249705）」を題材とし、半導体製造装置における光学素子のパージシステムに関する翻訳に取り組みました。この明細書においては、光学素子の位置...